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ao4832共漏双N沟道增强模式场效应晶体管

消耗积分:1 | 格式:pdf | 大小:118KB | 2017-10-05

EVAN

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AO4832 MOS规格书

　　The AO4832 uses advanced trench technology to provide excellent RDS（ON）， low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO4832 is Pb-free （meets ROHS & Sony 259 specifications）。 AO4832L is a Green Product ordering option. AO4832 and AO4832L are electrically identical.
ao4832共漏双N沟道增强模式场效应晶体管

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