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BSS123 N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:285KB | 2017-10-21

马钰人

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BSS123_datasheet

　　These N-Channel logic level enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild‘s proprietary， high cell density， DMOS technology. This very high density process has been especially tailored to minimize on-state resistance， provide superior switching performance. This product is particularly suited to low voltage， low current applications， such as small servo motor controls， power MOSFET gate drivers， and other switching applications.
BSS123 N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

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