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12吋晶圆集成电路芯片制程工艺与工序后端BEOL的详细资料说明
张红专
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本文前面衔接《浅谈12吋晶圆集成电路芯片制程（工艺与工序）前端FEOL之二》
8 ）多层金属互联与铜双大马士革工艺
8.1 局部互联二氧化硅介质制作：用LPCVD淀积一层氮化硅作为阻挡层（保护有源区使之与硼磷硅玻璃淀积层隔离）。
8.2 LPCVD淀积二氧化硅同时轻掺杂硼和磷，形成硼磷硅玻璃。（掺磷防止钠离子等可动电荷沾污，掺硼是玻璃层在较低温度具有流动性增加平坦性）之后再淀积不掺杂的二氧化硅。之后RTP使玻璃层更平坦。
化学机械抛光CMP之后，氧化层保留0.8μm.
工艺过程流到这里陆续经过氧化层生长、淀积多层薄膜、光刻刻蚀等，晶圆表面出现大量高低不平的“地形”，而光刻机的景深有限，形成高分辨率精细线条受到威胁。此外金属布线在台阶处会变薄甚至断裂。导致失效或可靠性低。为此晶圆要在图26之后面进行CMP平坦化加工。接下来光刻确定第一层金属布线与下层在硅衬底上制作的器件电极（源、栅、漏、接地、电源等）处接触孔位置（窗口）
第一部分链接：http://www.elecfans.com/soft/78/223/2019/20190405901648.html
第二部分链接：http://www.elecfans.com/soft/78/223/2019/20190405901649.html
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