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MOSFET和IGBT的性能对比详细说明

消耗积分:2 | 格式:pdf | 大小:0.81 MB | 2020-04-08

qzcp

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  为适应电力电子装置高频化的要求,电压驱动型开关器件IGBT、MOSFET被广泛应用。这两种器件都是多子器件,无电荷存储效应,开关速度快,工作频率高,输入阻抗高,驱动功率小。MOSFET较IGBT的开关速度更快,更适合高频工作场合。谐振型开关电源一般都采用MOSFET。本节分析对比了IGBT和MOSFET的开关损耗产生机理,为LLC谐振变换器工作区域的确定提供了依据。

  MOSFET和IGBT的等效电路如图2.4所示,两者结构上的主要差异是IGBT比MOSFET增加了一个漏注入区P层,它直接通向集电极]]。这种结构差异决定了MOSFET和IGBT的特性有所不同。MOSFET和IGBT等效电容可以表示为式(2-2)。在开关过程中,等效电容大小随时间变化。器件的输出电容主要是由密勒效应引起的密勒电容,而密勒效应的强弱与反馈电容Cs的大小和器件的放大倍数有关,在放大倍数一定的条件下,Crss越大,密勒效应越强烈,输出电容也越大。

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