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MOSFET和IGBT的性能对比详细说明
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2020-04-08
郑强
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为适应电力电子装置高频化的要求，电压驱动型开关器件IGBT、MOSFET被广泛应用。这两种器件都是多子器件，无电荷存储效应，开关速度快，工作频率高，输入阻抗高，驱动功率小。MOSFET较IGBT的开关速度更快，更适合高频工作场合。谐振型开关电源一般都采用MOSFET。本节分析对比了IGBT和MOSFET的开关损耗产生机理，为LLC谐振变换器工作区域的确定提供了依据。
MOSFET和IGBT的等效电路如图2.4所示，两者结构上的主要差异是IGBT比MOSFET增加了一个漏注入区P层，它直接通向集电极］］。这种结构差异决定了MOSFET和IGBT的特性有所不同。MOSFET和IGBT等效电容可以表示为式（2-2）。在开关过程中，等效电容大小随时间变化。器件的输出电容主要是由密勒效应引起的密勒电容，而密勒效应的强弱与反馈电容Cs的大小和器件的放大倍数有关，在放大倍数一定的条件下，Crss越大，密勒效应越强烈，输出电容也越大。
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