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反激式RCD缓冲器设计指南资料免费下载

消耗积分:5 | 格式:pdf | 大小:0.12 MB | 2020-06-06

多变的保龄泡泡

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  当MOSFET关断时,由于主变压器的漏感器(Llk)和MOSFET的输出电容器(COSS)之间发生共振,漏极引脚上出现高压尖峰。漏极引脚上的过大电压可能导致雪崩击穿,并最终损坏MOSFET。因此,有必要增加一个附加电路来钳制电压。本文提出了反激变换器RCD缓冲电路的设计原则。

  最简单的拓扑之一是反激变换器。它是由buck-boost变换器通过用耦合电感(即间隙铁芯变压器)替换滤波电感而得到的。当主开关打开时,能量以磁通形式存储在变压器中,并且在主开关关闭期间能量被转移到输出。由于变压器在主开关接通期间需要储存能量,因此铁芯应留有间隙。由于反激变换器只需要很少的元件,所以它是一种非常流行的拓扑结构,适用于低功率和中等功率的应用,如电池充电器、适配器和DVD播放机。

  图1显示了反激变换器在连续导通模式(CCM)和不连续导通模式(DCM)下工作,具有几个寄生元件,如一次和二次漏感器、MOSFET的输出电容和二次二极管的连接电容。当MOSFET关断时,一次电流id在短时间内给MOSFET的cos充电。当通过COSS,Vds的电压超过输入电压加上反射输出电压Vin+nVo时,二级二极管导通,从而使通过磁化电感Lm的电压钳制为nVo。因此,Llk1和COSS之间存在高频高压浪涌共振。MOSFET上的过电压可能是其失效的主要原因。在CCM操作的情况下,二级二极管保持导通,直到MOSFET被选通。因此,当MOSFET导通时,二次二极管的反向恢复电流被加到一次电流中,因此,在导通的情况下,一次电流上有很大的电流浪涌。同时,由于在DCM操作的情况下,二次电流在一个开关周期结束前耗尽,MOSFET的Lm和COSS之间存在共振。

  二次二极管打开,使得通过磁化感应器Lm的电压被钳制到nVo。因此,Llk1和COSS之间存在高频高压浪涌共振。MOSFET上的过电压可能是其失效的主要原因。在CCM操作的情况下,二级二极管保持导通,直到MOSFET被选通。因此,当MOSFET导通时,二次二极管的反向恢复电流被加到一次电流中,因此,在导通的情况下,一次电流上有很大的电流浪涌。同时,由于在DCM操作的情况下,二次电流在一个开关周期结束前耗尽,MOSFET的Lm和COSS之间存在共振。

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zfyy2020 2021-08-20
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