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集成铁电存储器MCU为物联网应用提供出色性能
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2021-11-05
王艳
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集成铁电存储器的MCU，由于在MCU上集成了铁电存储器，该产品数据写入速度比基于闪存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它还可在所有的电源模式中提供数据保存功能、支持超过100万亿次的写入次数、并为开发人员提供了一个全新的灵活度（允许其通过软件变更来完成数据内存与程序内存的分区)。铁电存储器相比SRAM、FLASH和EEPROM优点多多:非易失性，写入速度快，无限次写入,最关键是用一个铁电存储器可取代原MCU需配置的2~3个不同的存储器，统一的存储器架构使用户在成本和灵活性上获益。这种集
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