×

关于mos管栅极串接电阻的作用的研究

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:92.39KB | 2021-11-09

20615

分享资料个

老规矩先放结论:与反向并联的二极管一同构成硬件死区电路形如:驱动电路电压源为mos结电容充电时经过栅极电阻,栅极电阻降低了充电功率,延长了栅极电容两端电压达到mos管开启电压的速度;结电容放电时经过二极管,放电功率不受限制,故此情况下mos管开启速度较关断速度慢,形成硬件死区。限流当使用含内部死区的驱动或不需要硬件死区时,是否可以省去栅极电阻呢?答案是不行。当开启mos管为结电容充电瞬间,驱动电路电压源近似短接到地,当驱动电驴电压源等价电源内阻较小时,存在过流烧毁驱动(可能是三态门三

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

评论(0)
发评论

下载排行榜

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !