东芝推出五款新型MOSFET栅极驱动器IC

描述

​东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)为其TCK42xG系列MOSFET 栅极驱动器IC 的产品阵容增加面向可穿戴设备等移动设备的五款新品。该系列的新产品配备了过压锁定功能,并根据输入电压控制外部MOSFET的栅极电压。

这些新产品包括用于24V电源线路的“TCK420G”;用于12V电源线路的  “TCK422G”和“TCK423G”;用于9V电源线路的“TCK424G”;以及用于5V电源线路的“TCK425G”。这些产品现随同已经推出的用于20V电源线路的  “TCK421G”上市。

借助新增产品,TCK42xG系列现在支持用户选择10V和5.6V的栅极-源极电压,覆盖更多种类的MOSFET。此外,输入过压锁定功能支持的不同检测电压使得产品能够用于5V至24V的电源线路。当与外部背靠背MOSFET 结合使用时,它们也适用于配置负载开关电路(图1)或具有反向电流阻断功能的电源多路复用器电路(图2)。此外,由于其内置的电荷泵电路支持从2.7V到28V的宽范围输入电压,它们可以通过间歇工作在外部背靠背 MOSFET的栅极和源极之间提供稳定的电压,从而支持大电流切换。

TCK42xG系列采用WCSP6G[1]封装。这也是业界的超小型封装[2]。它实现了在可穿戴设备和智能手机等小型设备中的高密度安装,有助于减少其外形尺寸。

东芝还开发了“电源多路复用器电路”参考设计。这是一个基于TCK42xG功能的电源多路复用器的参考设计实例。 即日起可在东芝网站上获取。

应用

客户穿戴设备

智能收集

笔记本电脑,平板

存储设备等等

功能

栅极-源极电压设置(5.6V,10V),取决于输入电压,内置电荷泵电路

过压锁定支持 5V至 24V

低输入关断电流:IQ (OFF) = 0.5μA (max) @VIN=5V

主要规格

  (T a=25°C,除非另有说明)
部件编号 TCK420G TCK421G
[3]
TCK422G TCK423G TCK424G TCK425G
封装 名称 WCSP6G
尺寸 (mm) 1.2×0.8 (典型值),t=0.35(最大值)
工作
范围
输入电压
VIN_opr (V)
@Ta= -40
to 85°C
2.7 - 28
电气特性 VIN UVLO 阈值, VOUT 下降
VIN_UVLO
典型值/最大值 (V)
@Ta= -40
至85°C
2.0/2.5
VIN OVLO 阈值
VOUT 下降
VIN_OVLO
最小值/最大值 (V)
@Ta= -40
to 85°C
26.50
/28.50
22.34
/24.05
13.61
/14.91
10.35
/11.47
5.76
/6.87
待机电流
(断态)
IQ(OFF) 最大值(μA)
@VIN=5V, Ta= -40
至85°C
0.5
栅极驱动电压
(VGATE1-VIN)
(VGATE2-VOUT)
VGS typ. (V)
@VIN=
12V/20V
10/10 10/10 10/- 5.6/- -/- -/-
栅极驱动电压
(VGATE1-VIN)
(VGATE2-VOUT)
VGS典型值 (V)
@VIN=
5V/9V
10/10 10/10 10/10 5.6/5.6 5.6/5.6 5.6/-
VGS导通时间
tON典型值(ms)
@VIN=5V,
CGATE1,2=
4000pF
2.9
VGS关断时间
tOFF典型值(μs)
@VIN=5V,
CGATE1,2=
4000pF
52 23
OVLO
VGS关断时间
tOVP典型值(μs)
@CGATE1,2=
4000pF
31 34 41 16 18 19
样品查询和库存状况 在线购买 在线购买 在线购买 在线购买 在线购买 在线购买

东芝:全新MOSFET栅极驱动器IC “TCK42xG系列”将有助于减少装置尺寸。(图示:美国商业资讯)

MOSFET

东芝:图1:负载开关电路(单高端驱动,背靠背),图2:电源复用器电路(图示:美国商业资讯)

MOSFET

东芝:电源多路复用器电路板(图示:美国商业资讯)

  审核编辑:汤梓红
 
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