MOS型功率半导体器件改变了功率变换技术的面貌
过去功率半导体器件的国际会议主要是包含在半导体器件(主要是集成电路,如IEDM会技术(如PESC,IPEC,IAS)的会议中。1989年始有专门讨论功率半导体器件的专业会议际功率半导体器件讨论会(ISPSD)。从历年来ISPSD中论题的变化来看,功率MOS器件及功率电路的论文发展最快。而晶闸管的论文则迅速减少。这说明晶闸管技术已趋于成熟。而器件则正在不断更新和发展。
ISPSD'97中,会议主席专门谈到了今年会议的主题是:“功率半导体器件的40周年和晶体管周年”。说明1957年晶闸管(可控硅)的发明,是功率半导体器件纪元的开始。但他也同当前影响更为重大的是近20年前,功率MOS场效应晶体管的发明,它使微电子学和电力始接通,并使功率变换技术有了新的飞跃。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
全部1条评论
快来发表一下你的评论吧 !