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常用半导体器件自测题
dplion
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一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ ）
（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ）
（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ）
（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ）
（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（ ）
（6）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ）
解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×
二、选择正确答案填入空内。
（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽
（2）设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是。 A. ISeU B. TUUIeS C. IS(eU UT－1)
（3）稳压管的稳压区是其工作在。
A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿
（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。
A. 前者反偏、后者也反偏
B. 前者正偏、后者反偏
C. 前者正偏、后者也正偏
（5）UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管
解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C
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