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功率半导体器件的直接均流技术详细介绍

消耗积分:0 | 格式:rar | 大小:0.26 MB | 2021-03-16

  在认真研究双极注入型功率半导体器件通态特性的基础上,结合装置整机厂的并联技术经验,从器件角度,提出了功率半导体器件的直接均流技术,这一技术已得到了成功验证。

  无论是基础功率半导体器件如:整流二极管( Rectifier diodes 简称RD,含快恢复整流二极管FRD)、晶闸管(SCR,含快速、高频晶闸管) 、双向晶闸管( Triac )、逆导晶闸管( RCT)等,还是新型功率半导体器件如:门极关断晶闸管(GTO)、门极换流晶闸管(GCT)、集成门极换流晶闸管(IGCT)等,甚至是绝缘栅双极晶体管( IGBT),由于这些器件都属于双极注入器件,故其通态特性最后都归结到PiN 功率二极管的通态特性上来。

  在实际应用中,往往有多个器件的并联问题,而并联的核心就是均流,说到底是一个PiN 功率二极管的通态特性问题。将PiN 功率二极管的通态特性认真研究清楚了, 不用任何特殊均流措施的直接均流问题就解决好了。PiN功率二极管的通态特性研究清楚了, 直接均流问题解决好了,就不难推广到FRD、SCR甚至是GTO、GCT、IGCT等的直接并联均流。届时将着眼点仅仅集中到些微差别上也就足够了。然而国内的许多现实令人遗憾:在一些人的眼里连晶闸管都早已研究过了, ,哪里还谈得上最简单的PiN 功率二极管的再研究呢?

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