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功率半导体器件的直接均流技术详细介绍
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在认真研究双极注入型功率半导体器件通态特性的基础上，结合装置整机厂的并联技术经验，从器件角度，提出了功率半导体器件的直接均流技术，这一技术已得到了成功验证。
无论是基础功率半导体器件如：整流二极管（ Rectifier diodes 简称RD，含快恢复整流二极管FRD）、晶闸管（SCR，含快速、高频晶闸管） 、双向晶闸管（ Triac ）、逆导晶闸管（ RCT）等，还是新型功率半导体器件如：门极关断晶闸管（GTO）、门极换流晶闸管（GCT）、集成门极换流晶闸管（IGCT）等，甚至是绝缘栅双极晶体管（ IGBT），由于这些器件都属于双极注入器件，故其通态特性最后都归结到PiN 功率二极管的通态特性上来。
在实际应用中，往往有多个器件的并联问题，而并联的核心就是均流，说到底是一个PiN 功率二极管的通态特性问题。将PiN 功率二极管的通态特性认真研究清楚了， 不用任何特殊均流措施的直接均流问题就解决好了。PiN功率二极管的通态特性研究清楚了， 直接均流问题解决好了，就不难推广到FRD、SCR甚至是GTO、GCT、IGCT等的直接并联均流。届时将着眼点仅仅集中到些微差别上也就足够了。然而国内的许多现实令人遗憾：在一些人的眼里连晶闸管都早已研究过了， ，哪里还谈得上最简单的PiN 功率二极管的再研究呢？
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