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IGBT功率半导体器件
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2023-02-15
贾小龙
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IGBT在MOSFET基础上升级，市场空间增速快。IGBT作为半导体功率器件中的全控器件，由BJT(双极型三极管)和MOSFET(绝缘栅型场效应 管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，有MOSFET的高输入阻抗和GTR 的低导通压降两方面的优点。 IGBT的开关特性可以实现直流电和交流电之间的转化或者改变电流的频率，有逆变和变频的作用，其应用领域极其广泛。 碳化硅具有较高的能量转换效率，不会随着频率的提高而降低，碳化硅器件的工作频率可以达到硅基器件的10倍，相同规格的碳化硅基 MOSFET总能量损耗仅为硅基IGBT的30%。碳化硅材料将在高温、高频、高频领域逐步替代硅，在5G通信、航空航天、新能源汽车、智能电 网领域发挥重要作用。
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