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大功率超高速半导体开关RSD 功率损耗特性分析

消耗积分:5 | 格式:rar | 大小:164 | 2009-04-03

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介绍了RSD(Reversely Switched Dynistor)的结构和基本工作原理，基于n 基区中等离子体双极漂移的方程式定量分析了RSD 的开通过程，得到了功率损耗在不同时间段的表达式，计算表明开通前沿的换流损耗与通态下的准静态损耗相比可忽略不计。分析了功率损耗的影响因素，减小n 基区宽度Wn、增大芯片通流面积S、提高衬底掺杂浓度Nd 以及增大预充电荷量QR 都可减小RSD 的功率损耗，且功率损耗随换流幅值的增加而增大，实验结果证明了这些结论。
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