资料下载
×
纳微半导体成立全球首家氮化镓功率芯片设计中心
消耗积分:2 |
格式:pdf |
大小:0.27 MB |
2023-02-22
万物死
分享资料个
下一代氮化镓功率芯片将加速充电更快，驾驶距离更远的电动汽车普及提前三年来到，并减少20%道路二氧化碳排放 2022年1月14日，北京—— 氮化镓 (GaN) 功率芯片的行业领导者 Navitas Semiconductor（纳斯达克代码：NVTS）宣布开设新的电动汽车 (EV) 设计中心，进一步 扩展到更高功率的氮化镓市场。与传统的硅解决方案相比，基于氮化镓的车载充电器 (OBC) 的充电速度估计快 3 倍，节能高达 70%。据估计，氮化镓OBC、 DC-DC 转换器和牵引逆变器将有望延长电动汽车续航里程，或将电池成本降低 5%，和原先使用硅芯片相比，氮化镓功率芯片有望加速全球 EV 的普及提前三 年来到。据估计，到 2050 年，将电动汽车升级到使用GaN之后，道路部门的二氧化碳排放量每年有望减少 20%，这也是《巴黎协定》的减排目标。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。 举报投诉
评论(0)
发评论
- 相关下载
- 相关文章
