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氮化镓材料研究
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2023-02-21
王飞云
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氮化镓(GaN)是一种宽禁带隙的半导体材料，在半导体行业是继硅之后最受欢迎的材料。这背后的原动力趋势是led，微波，以 及最近的电力电子。新的研究领域还包括自旋电子学和纳米带晶体管，利用了氮化镓的一些独特特性。氮化镓具有与硅相当的 电子迁移率，但具有一个三倍大的带隙，使之成为极好的高功率应用和高温的候选人操作。能够形成薄型algan /GaN异质结构 图，其表现出二维电子气体现象导致高电子迁移率晶体管。氮化镓研究的另一个有趣方向，它是基于GaN的微机械cal设备或 GaN微机电系统(MEMS)。
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