×

高压MOS管KNX42150的应用

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:0.16 MB | 2023-03-01

殷谷光

分享资料个

N沟道MOSFET–KNX42150A漏源击穿电压高达1500V，漏极电流最大值为3A，适用于变频器电源，逆变器，DC-DC转换等。
高压MOS管KNX42150的开启延迟典型值为30nS，关断延迟时间典型值为45nS，上升时间65nS，下降时间60nS，反向传输电容 11pF，具有极快的开关速度，可靠性高。反向恢复时间410nS，正向电压的典型值1.6V。 该MOS管的导通阻抗典型值为6.5Ω。最大功耗为50W，最大结温为150℃。此产品的储存温度在-55到150℃，可适用于大部分 环境。
下载并关注上传者 低至0.43元/天 开通VIP 免费下载

声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。 举报投诉

评论(0)
发评论

下载排行榜

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !