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基于场效应晶体管的高压电脉冲产生技术

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:250 KB | 2011-09-15

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以高速MOSFET器件为基础，对超快高压电脉冲产生技术进行了实验研究。采用多路并联的高速MOSFET与感应叠加相结合的形式，得到脉冲半宽度为300 ns、上升时间约为60 ns、时间间隔600 ns的超快方波双脉冲；在负载电阻为11．5 Q时，可以产生365 A的脉冲峰值电流，并且能够提供1．5 Mw 的峰值输出功率。
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