ME2306A是采用高单元密度DMOS沟道技术的N通道逻辑增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺特别适合于最小化通态电阻。
这些设备特别适用于低电压应用,如移动电话、笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路,以及非常小的外形表面安装封装所需的低在线功耗。
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