氧化镓缺陷、合金化电子结构调控及日盲光电探测器研究

半导体材料是信息技术产业的基石，Ga2O3、金刚石等超宽禁带半导体，GaN、SiC等宽禁带半导体前景广阔。Ga2O3是大功率、高效率、特高压器件的理想选择，是高灵敏、高响应日盲紫外探测器的天然材料。从Ga2O3材料国内外发展形势来看，Ga2O3产业化时间短、技术差距小、产品应用面广、市场空间巨大。美国、日本已对中国全面禁运Ga2O3衬底材料和相关器件设备。我国Ga元素储量丰富，提炼技术先进，大尺寸Ga2O3单晶衬底实现低成本生产。

近日，“2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛”于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，西安交通大学、极智半导体产业网（www.casmita.com）、第三代半导体产业主办，西安电子科技大学、中国科学院半导体研究所、第三代半导体产业技术创新战略联盟人才发展委员会、全国半导体应用产教融合（东莞）职业教育集团联合组织、西安和其光电股份有限公司等单位协办。

 

期间，“平行论坛2：光电子器件及应用”上，厦门大学徐翔宇带来了“氧化镓缺陷、合金化电子结构调控及日盲光电探测器研究”的主题报告，报告分享了高性能Ga2O3光电探测器的性能调控，以及Al/In合金化薄膜的光电调控和电子结构的研究进展与成果。

研究显示，通过对外延薄膜后退火处理，获得高响应度、高探测率的日盲紫外光电探测器，实现对实际日盲信号的灵敏响应。解释了器件性能的大幅改善，是受到了由退火引起的缺陷以及表面状态变化的共同影响。通过对Ga2O3进行Al/In合金化，实现了大范围的带隙调控，制备出了能够响应全日盲波段的紫外光电探测器，并解释了合金组分的引入对能带结构的影响。





审核编辑：刘清