三星正在开发HBM4 目标2025年供货

描述

  三星电子存储器事业部门负责dram开发的副总经理Sangjun Hwang表示:“三星已经开始向顾客提供高带宽存储器hbm3e的样品,目前正在开发新一代产品hbm4,目标是在2025年供货。”

  Sangjun Hwang还表示:“正在准备开发出最适合高温热特性的非导电粘合膜(ncf)组装技术和混合粘合剂(hcb)技术,并适用于hbm4产品。”

  今年年初,三星电子为了强化尖端成套技术和事业部门间的协同效应最大化,组成了avp(先进封装)事业组等,正在倾尽全力开发这些技术。

  另外,还计划与hbm一起提供包括2.5d和3d尖端解决方案的尖端定制型turkey package服务,展示ai和hpc时代的最佳解决方案。

  就上月上市的32gb ddr5 dram,Sangjun Hwang表示,可以节省费用并提高生产效率,同时还可以改善10%的电力消耗,最多可以使用1tb的内存模块。

  相俊黄表示,对在存储器中增加系统半导体运算功能的pim(存储器计算)产品抱有期待。hbm-pim在dram内部内置数据运算功能,改善了存储器带宽的瓶颈现象。在语音识别等特定工作量上,性能最高提高了12倍,最高提高了4倍。”

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