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国内首家批量独立式非易失性磁存储 STT-MRAM介绍
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2023-11-02
【产品特点】
高速：速度与DRAM相当，比FLASH快1万倍；高擦写次数：比NAND Flash多一千万倍
掉电不丢失：MRAM可以断电保存数据；低功耗，只有读写数据时才上电；抗辐射抗恶劣环境，CMOS兼容性好
【应用领域】
- 工业自动化
- 智能仪表
- 医疗器械
- 游戏设备
- 互联网设备
- 磁盘系列… …
【常用存储器性能对比】
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