SemiQ推出采用SOT-1封装的200,227V MOSFET

　　为了扩大QSiC SiC模块的选择范围，SemiQ推出了一系列采用SOT-1封装的200,227V MOSFET，可与或不与1,200V SiC肖特基二极管一起使用。

　　最近推出的 SemiQ SiC 模块建立在高性能陶瓷的坚实基础上，经过精心设计，可在苛刻的环境下始终如一地运行，实现了异常高的性能水平。改进的功能可实现更简化的设计配置和更高的功率密度。高击穿电压 (> 1,400 V)，高温工作 (TJ= 175°C)，以及在整个工作温度范围内的低 Rds(On) 位移是 QSiC 模块的所有特性。此外，它们还提供最长的栅极氧化层寿命和稳定性、抗雪崩 (UIS) 和更长的短路耐受时间。

　　电动汽车充电、车载充电器 (OBC)、DC-DC 转换器、电动压缩机、燃料电池转换器、医疗电源、储能系统、太阳能和风能系统、数据中心电源、UPS/PFC 电路以及其他汽车和工业电源应用是新型 QSiC 模块与我们现有的 SOT-227 SiC SBD 模块结合使用的目标市场。

　　为确保每个新的QSiC模块都具有稳定的栅极阈值电压和高质量的栅极氧化物，所有模块都经过晶圆级的栅极老化测试。除了有助于稳定外在故障率的老化测试外，还进行了包括高温反向偏置 (HTRB) 漏极应力、高湿度、高压和高温 (H3TRB) 漏极应力在内的应力测试，以保证工业使用所需的质量水平。

　　SemiQ 的新型 1,200V SOT-227 模块提供 20 mΩ、40 mΩ 和 80 mΩ SiC MOSFET 尺寸。