SK海力士与台积电达成研发合作，推动HBM4和下一代封装技术发展

　　4 月 19 日，韩国 SK 海力士发布声明，已与中国台湾地区的台积电签署谅解备忘录（MOU），共同推进高带宽内存（HBM）技术的下一代研发及封装应用。预计于 2026 年实现 HBM4 的量产。

　　据协议内容，双方首先致力于提升 HBM 封装中的基础裸片（Base Die）性能。HBM 由多个 DRAM 裸片（Core Die）堆叠在基础裸片之上，再经由 TSV 技术进行垂直互连，基础裸片同时连接到 GPU，其重要性不言而喻。

　　自 HBM3E（第五代 HBM 产品）起，SK 海力士的 HBM 产品基础裸片均采用自家工艺生产；然而，从 HMB4（第六代 HBM 产品）开始，该公司将转用台积电的先进逻辑（Logic）工艺。

　　据悉，双方将密切合作，探索利用台积电的 CoWoS 技术封装 SK 海力士的 HBM 产品，以期在性能和效率等方面更好地满足客户对定制化（Customized）HBM 产品的需求。

　　今年 2 月，SK 海力士提出“One Team”战略，计划借助台积电构建 AI 半导体联盟，进一步强化其在 HBM 领域的领先地位。

　　展望未来，AI 半导体将从 HBM 时代的 2.5D 封装迈向 3D 堆叠逻辑芯片和存储芯片的新型高级封装。存储企业与芯片代工+高级封装企业的深度合作有助于推动相关研发进程。