芯塔电子发布1200V/14mΩ SiC MOSFET 助力电动汽车主驱功率模块

　　近期，芯塔电子宣布推出适用于电动汽车主驱功率模块的1200V/14mΩ SiC MOSFET新品，这意味着其成为国内能够批量供应大电流低阻（Rst）SiC MOSFET产品的稀有碳化硅器件供应商之一。

　　芯塔团队凭借出色的器件结构设计，使得新品各项参数表现卓越：在击穿电压与阈值电压方面保持高度一致且稳定；Rsp达到行业领先水准，整体优势显著。

　　此外，得益于国产化供应链支持，该产品的衬底、外延采用国产材料，晶圆流片及芯片封装均在国内完成，为实现车用功率芯片的优质国产替代提供有力支撑。

　　为了确保客户获得高效可靠的SiC MOSFET产品，芯塔电子对整个项目周期实施严格的质量管控。1200V/14mΩ SiC MOSFET需经过比AEC-Q101更为严格的测试条件，并按VDS=960V进行HV-H3TRB可靠性验证。

　　产品重要特性参数具备极高一致性：Vth参数漂移量不超过1.5%，BVDS参数漂移量不超过1.0%，RDs（on）参数漂移量不超过1.5%。

　　截至目前，芯塔电子已推出涵盖650V/1200V/1700V多个电压平台的近40款SiC MOSFET系列产品，并拓展了TO-263-7、DFN 8*8、Toll等具备更小尺寸、更低寄生干扰、优秀散热性能及高可靠性的封装形态，部分产品已获车规AEC-Q101及加严H3TRB双重认证。

　　基于1200V/14mΩ SiC MOSFET芯片的优良性能，芯塔电子陆续推出了包括单管及HPD模块在内的多种封装形式。

　　随着新产品的加入，芯塔电子的碳化硅产品线得以进一步完善，产品广泛应用于电动汽车（EV）主驱逆变器、OBC/DC-DC、充电桩、光伏和储能系统（ESS）以及工业电源等领域，以满足客户多元化的应用需求。