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单电源序列负电压
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2017-04-11
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当主电源（VCC1）低于切换门限，栅极驱动到GND。的7.5v齐纳二极管（D1）不进行，使电阻R1拉MOSFET的栅负电源。这一结果在VGS = 0，禁用MOSFET。一、超过切换门限，栅极驱动的高。与VCC1 =数据= +5V，VGATE（高）= + 10.5V。在D1 7.5v降，VG = +3，提供VGS =±8V。7.5V齐纳二极管的选择，因为它提供8V的栅极驱动，充分减少IR压降的MOSFET。罗恩可以进一步降低通过选择一个较低的电压齐纳，但是，要知道的栅极电流。尺寸R1这样产生的VGS不会导致栅极电流大于5µA.较大负荷会降低VGATE（高），降低了设备的能力，全面提高MOSFET。
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