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基于预充电技术的新型高速高精度比较器
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2009-10-23
李娟
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基于预充电技术的新型高速高精度比较器:本文介绍了一种结构新颖的PWM比较器，由于采用了预充电技术和合理的反馈结构，与一般的比较器相比，该电路具有更快的响应速度，更高的比较器精度和灵敏度，以及较小的失调电压。采用典型的TSMC 0.6um 硅CMOS工艺模型，利用Cadence进行模拟仿真，比较器的延时为0.069us，精度为20mV，功耗0.7765W。
关键词：PWM比较器；响应速度；失调电压
在模数转换和很多模拟功能模块中，我们经常会用到比较器，而比较器的速度和精度直接影响模块功能的实现。随着MOS技术的不断发展，比较器的速度得到了很大的提高，但是由于MOS器件之间的失配误差，使得在一定工艺条件下实现高速高精度比较困难。本文介绍了一种采用了预充电技术和正反馈的比较器，与传统的比较器相比，其翻转速度快，精度高，并且失调电压较小，性能有了明显的提高。
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