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具有PMBus的1v/30集成场效应晶体管设计
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2017-05-09
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PMP9008设计使用TPS544C20产生低电压的负载输出30点。 设计是一个非常紧凑的形式同步巴克与场效应晶体管集成。 控制器还提供PMBus comands遥测和监控。 效率超过85%，几乎整个负载范围。 DCap控制简化补偿和瞬态响应非常快。
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET）和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
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