×

通过优化的功率级布局免费提高大电流直流/直流稳压器的EMI性能

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:685.31KB | 2024-08-26

分享资料个

MOSFET换向期间的高dv/dt和di/dt开关瞬态是开关DC/直流调节器传导和辐射EMI的主要来源。尽管氮化镓(GaN)开关器件的PCB布局优化已引起广泛关注，但硅功率MOSFET的布局也需要仔细考虑，因为它们广泛应用于汽车和通信设备系统等对EMI性能至关重要的应用中。
下载并关注上传者 低至0.43元/天 开通VIP 免费下载

声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。 举报投诉

评论(0)
发评论

下载排行榜

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !