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通过优化的功率级布局免费提高大电流直流/直流稳压器的EMI性能
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2024-08-26
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MOSFET换向期间的高dv/dt和di/dt开关瞬态是开关DC/直流调节器传导和辐射EMI的主要来源。尽管氮化镓(GaN)开关器件的PCB布局优化已引起广泛关注，但硅功率MOSFET的布局也需要仔细考虑，因为它们广泛应用于汽车和通信设备系统等对EMI性能至关重要的应用中。
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