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降压稳压器使用高边N沟道开关无复杂栅极驱动
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2017-07-02
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在电压降压（降压调节器）应用中获得非常高的效率通常需要使用N沟道、低通电阻MOSFET开关。在转换器的高侧驱动这些增强模式设备的困难是，它们需要在输入电源上方的栅极电压来导通。这必然要求一个额外的电源电压仅为高边栅极驱动器。虽然P沟道器件的栅极驱动简单起见，一个可行的选择，其相关的成本和更高的性能限制了应用程序的数量。通常，P沟道FET用于Buck稳压器输出电流小于4安培，左右。然而，许多1.8伏通过3.3伏逻辑系统的需求往往在10安培附近，迫使使用N通道设备。
电路如图1所示。采用常规电压模式控制的Buck调节器应用ucc3803 BiCMOS PWM控制器。通常，IC需要从输入到降压转换器提供独立的12伏电源。由于MOSFET的接通，它的源接近其漏极电压（5V），栅极驱动七伏到IC的12伏电源。逻辑级MOSFET是需要这个应用程序完全增强，只有五（左右）伏门源相比，标准设备，需要约十伏。当Q1关断时，栅极由IC输出端接地，二极管则执行调节器的全输出电流。
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