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降压稳压器使用高边N沟道开关无复杂栅极驱动

消耗积分:0 | 格式:rar | 大小:0.05 MB | 2017-07-02

  在电压降压(降压调节器)应用中获得非常高的效率通常需要使用N沟道、低通电阻MOSFET开关。在转换器的高侧驱动这些增强模式设备的困难是,它们需要在输入电源上方的栅极电压来导通。这必然要求一个额外的电源电压仅为高边栅极驱动器。虽然P沟道器件的栅极驱动简单起见,一个可行的选择,其相关的成本和更高的性能限制了应用程序的数量。通常,P沟道FET用于Buck稳压器输出电流小于4安培,左右。然而,许多1.8伏通过3.3伏逻辑系统的需求往往在10安培附近,迫使使用N通道设备。

  电路如图1所示。采用常规电压模式控制的Buck调节器应用ucc3803 BiCMOS PWM控制器。通常,IC需要从输入到降压转换器提供独立的12伏电源。由于MOSFET的接通,它的源接近其漏极电压(5V),栅极驱动七伏到IC的12伏电源。逻辑级MOSFET是需要这个应用程序完全增强,只有五(左右)伏门源相比,标准设备,需要约十伏。当Q1关断时,栅极由IC输出端接地,二极管则执行调节器的全输出电流。

降压稳压器使用高边N沟道开关无复杂栅极驱动

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