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ReRAM的含义和发展现状及其在物联网的趋势下未来发展预测
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物联网应用若要全面普及，势必需要在人类生活环境中部署大规模传感器等基础设施，这些设备若能拥有愈长的电池续航力当属愈好，一来可节省维护成本、二来有助提高物联网基础设施可持续性。
现阶段业界也在寻找可大幅降低物联网设备能源消耗的办法，为此业界发现物联网芯片中内嵌“可变电阻式内存”（ReRAM），有助达成此一节能目标。
据Embedded Computing Design网站报导，若要达到物联网应用的能源采用要求，需要导入各式节能策略，即使多数物联网设备设计成可休眠或待命的模式，但再怎么说物联网设备仍有一定比例时间在运作，因此如何节能仍是一大技术重点。
其中嵌入式内存在协助物联网芯片节能上便扮演要角，因具备低功耗及低电压操作、单体IC、快速读写时间、非挥发性以及高容量等有助提升物联网设备能源效率的优势。
什么是ReRAM
ReRAM不同于传统Flash内存技术，ReRAM内存是以字节进行寻址，能以小型页（page）进行建构，因此ReRAM能够独立抹除及再写入，能够大幅简化储存控制器的复杂性。
ReRAM储存单元通常在两个金属电极之间部署一个切换材料，当施加电压时该材料能够显现出不同的阻力特性，该切换材料及内存储存单元如何进行组构，就成为决定ReRAM节电性的关键。该切换材料为灯丝奈米粒子（Filamentary nanoparticle），以及不具导电性的非晶硅（a-Si）这类简易CMOS兼容性材料。
例如Crossbar ReRAM技术，是基于采用对CMOS友善的材料及标准CMOS制程的简易两个终端设备结构所开发，能够轻易与CMOS逻辑电路进行整合，且能够以现有CMOS厂房生产，无需采特殊的设备或材料。
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