资料下载
×
发光器件与位错结构LED的介绍及硅基光电集成器件研究进展
消耗积分:0 |
格式:rar |
大小:0.3 MB |
2017-09-30
分享资料个
随着器件结构与制作工艺的不新创新与完善。硅基发光器件已经可以实现室温下的有效工作，外量子效率可达到0.1%：低功耗的硅基高速调制器件的调制速率达到1GHZ以上;而硅基光探测器对1300mm与1550mm波长的探测响应度也已分别达到了0.16mA/W 和0.08mA/W.文章对硅基光电器件的研究进展情况进行了概述，并着重对几种器件的结构及工作原理进行了分析。
发光器件
由于硅为间接带隙半导体，在载流子的复合过程中非辐射复合占绝对优势，因此单晶硅本身不能制成有效的发光器件’ 然而通过掺杂或引入应力的方法，可以改变材料的能带结构，从而为硅基发光器件提供了实现的可能’ 目前对硅基发光器件的研究主要集中在可见光和红外两个领域（ 在可见光领域，一般通过采用多孔硅超晶格、纳米硅等结构来实现硅的能带结构的改善，而在红外领域， 等材料受到较多的关注（ 然而从工艺实现的角度来讲，这些材料的制备或多或少都不能与现有的成熟微电子工艺兼容，因此为光电器件的单片集成带来了一定的困难（ 而下面介绍的两种硅基发光器件利用标准的微电子工艺制作，较好的解决了工艺兼容性问题，从而使得器件的单片集成成为可能。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。 举报投诉
评论(0)
发评论
- 相关下载
- 相关文章
