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纳米半导体中多重激子效应研究进展

消耗积分:3 | 格式:rar | 大小:3.09 MB | 2018-02-10

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　　多重激子效应是指纳米半导体吸收一个高能光子后产生两个甚至多个电子一空穴对的物理过程，不仅具有重要的基础研究意义，而且在新型太阳电池及高性能光电子器件领域具有潜在应用价值，综述了多重激子效应的发展历程：总结了纳米半导体的材料组分、体系结构甚至表面质量对多重激子效应的影响：介绍了多重激子效应的实验测试分析方法以及解释多重激子效应的理论方法：概括了目前多重激子效应在器件中的应用并对其应用前景进行展望。
 

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