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GaN晶体管的命名、类型和结构

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:458.69KB | 2024-09-12

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　　氮化场效应晶体管现在为设计师和客户提供了在高密度应用中替代硅MOSFET的实用和可行的选择。GaN器件在兆赫范围内具有高速开关，运行速度更快。GaN 器件也更小，允许高功率密度系统。此外，GaN器件具有更低的开关能量和反向恢复损耗因此效率更高。

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