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镁光MT29F系列FLASH规格书
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Single-level cell （SLC） technology
• Organization
– Page size x8： 2，112 bytes （2，048 + 64 bytes
– Block size： 64 pages （128K + 4K bytes）
– Plane size： 2，048 blocks
– Device size： 4Gb： 4，096 blocks; 8Gb： 8，192 blocks;
16Gb： 16，384 blocks
• READ performance
– Random READ： 25µs （MAX）
– Sequential READ： 25ns （MIN）
• WRITE performance
– PROGRAM PAGE： 220µs （TYP）
– BLOCK ERASE： 1.5ms （TYP）
• Data retention： 10 years
• Endurance： 100，000 PROGRAM/ERASE cycles
• First block （block address 00h） guaranteed to be
valid up to 1，000 PROGRAM/ERASE cycles1
• Industry-standard basic NAND Flash command set
• Advanced command set：
– PROGRAM PAGE CACHE MOD
– PAGE READ CACHE MOD
– One-time programmable （OTP） commands
– Two-plane commands
– Interleaved die operations
– READ UNIQUE ID （contact factory
– READ ID2 （contact factory）
• Operation status byte provides a software method of
detecting：
– Operation completion
– Pass/fail condition
– Write-protect status
• Ready/busy# （R/B#） signal provides a hardware
method of detecting operation completion
• WP# signal： write protect entire device
• RESET required after power-up
• INTERNAL DATA MOVE operations supported
within the plane from which data is read
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飞鱼2020
2020-12-21
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