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NTD技术的介绍与单晶硅中氢与辐照缺陷的相互作用

消耗积分:0 | 格式:rar | 大小:2.6 MB | 2017-10-17

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　　对NTD氢区熔单晶硅进行了不同温度下等时退火，采用Hall 电学方法测量了电阻率、迁移率随退火温度的变化规律。利用红外吸收技术测量了单晶硅氢区熔退火前后及NTD氢区熔单晶硅不同退火温度下与氢、辐照缺陷有关的红外振动吸收峰变化，对辐照缺陷的退火行为进行了探讨。实验证实NTD氢区熔单晶硅在150~650C 范围内等时退火具有显著特点：在500‘C 下退火，出现电阻率极小值，即出现浓度很高的过量浅施主;P 型向N 型转变温度为400C，迁移率恢复温度为500C，载流子恢复温度为600C，均明显低于NTD氩区熔单晶硅转型温度及迁移率和载流子恢复温度，这与氢积极参与辐照缺陷相互作用直接相关。
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