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基于二极管桥的两级全差分跟踪保持电路的设计
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设计了一种基于二极管桥的两级全差分跟踪保持电路， 两级模块由独立的时钟控制， 可以各自工作在跟踪模式。芯片采用 1 Lm GaAs HBT 工艺实现， 芯片大小为1. 8 mm×2 mm ， 功耗2. 75 W。经测试， 电路可以工作在1 GS/s 采样速率下， 单端输入峰峰值250 mV 信号时采样带宽超过7 GHz; 单端输入峰峰值250 mV， DC-2 GHz 信号时， 电路具有8 bit 有效位。
基于三级管工艺的跟踪保持电路主要分为开关射极跟随器（ Sw itched emitter follower， SEF） 和二极管桥（ Dio de bridge） 两种。二极管桥结构主要具有馈通小及时钟沿有限引起的采样时间不确定性小等优点［ 6］。图1 为二极管桥式跟踪电路拓扑图。其中输入端在片内上拉50 8 到地， 信号经过输入缓冲进入二极管桥式电路T H1， T H1 在CK1 的控制下完成对信号的处理， 之后， 信号进入T H2。最后一级为输出缓冲电路， 设计驱动 50 8 负载， 输入端上拉 50 8 到VOU T。当TM 1/ 2 接地时， 时钟缓冲电路输出高低电平， 控TH1/ TH2 工作在跟踪模式。当TM 1/ 2 悬空时， CK1 和 CK2 输入频率相同、相位相差 180 的信号时， 输出信号可以根据时钟周期分为两段， 前半周期为T H2 跟踪T H1 的保持阶段的信号， 后半周期为T H2 保持本级前半周期的信号。电路采用差分结构， 主要用来消除共模噪声， 抑制偶次谐波， 减小保持模式的电压下降率。采用两级结构级联， 全部输出保持模式信号， 方便后级ADC应用。
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