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基于SFCR新型介质的X波段压控振荡器的设计方案
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2017-11-14
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1 绪论
微波压控振荡器（VCO）是频率产生源的关键部件，其指标直接决定着整个频率源的性能。在C波段以上的窄带频率源中，基于电介质的DRO由于其很高的频率稳定度、较低的相位噪声而获得了广泛的运用。但是DRO由于电介质自身的一些特点而导致整个振荡器的体积过于庞大，这在某些应用场合是很不利的，此外其可靠性也不容易保证。
美国DLI公司开发出的新型介质谐振器SFCR在结构上完全是自屏蔽的，表面镀金的结构也使得其能够进行表贴和键合，此特点使得基于此介质的VCDO的体积可以做得比较小。此介质的Q值适中，温度系数较小，基于其的VCDO的相位噪声和频率稳定性较好。因此设计一种基于此介质的VCDO是一件有意义的工作。
2 方案设计
负阻振荡器的基本电路结构如图1所示：
图1 共发射极负阻振荡电路图
图1所示负阻振荡器的输出频率由以下公式决定：
（1）
在式（1）中，C为振荡器电路的总电容值，包括介质谐振器的等效电容与负阻电路的等效并联电容。传统的电调谐介质振荡器输出频率的方法是在介质谐振器的旁边直接并联变容二极管来达到改变整个谐振器电路的谐振频率，此种方法对于SFCR介质谐振器来说并不是很有效，原因在于SFCR的空载Q值不是很高，且随着频率偏移，迅速降低。由于小容值的电容不易控制，因此，在SFCR旁边直接并联变容二极管时，如果变容二极管接入系数过大，相位噪声会严重而化，而接入系数过低，调谐带宽又很窄，因此采用此方法来调谐频率是一件比较困难的工作。
然而，通过改变振荡器负阻电路部分的状态同样能够在较小的范围内改变频率。因此，可以在图1负阻电路部分的C4 后面串联一个变容二极管来调谐振荡器的输出频率。由于此方法没有直接在SFCR旁边直接并联电容，仅仅靠改变谐振器接入端口的阻抗特性来改变输出频率。因此，此方法对SFCR的影响相对传统的方法要小，简单实用。具体的设计可以通过CAD仿真工具完成。
微波压控振荡器（VCO）是频率产生源的关键部件，其指标直接决定着整个频率源的性能。在C波段以上的窄带频率源中，基于电介质的DRO由于其很高的频率稳定度、较低的相位噪声而获得了广泛的运用。但是DRO由于电介质自身的一些特点而导致整个振荡器的体积过于庞大，这在某些应用场合是很不利的，此外其可靠性也不容易保证。
美国DLI公司开发出的新型介质谐振器SFCR在结构上完全是自屏蔽的，表面镀金的结构也使得其能够进行表贴和键合，此特点使得基于此介质的VCDO的体积可以做得比较小。此介质的Q值适中，温度系数较小，基于其的VCDO的相位噪声和频率稳定性较好。因此设计一种基于此介质的VCDO是一件有意义的工作。
2 方案设计
负阻振荡器的基本电路结构如图1所示：
图1 共发射极负阻振荡电路图
图1所示负阻振荡器的输出频率由以下公式决定：
（1）在式（1）中，C为振荡器电路的总电容值，包括介质谐振器的等效电容与负阻电路的等效并联电容。传统的电调谐介质振荡器输出频率的方法是在介质谐振器的旁边直接并联变容二极管来达到改变整个谐振器电路的谐振频率，此种方法对于SFCR介质谐振器来说并不是很有效，原因在于SFCR的空载Q值不是很高，且随着频率偏移，迅速降低。由于小容值的电容不易控制，因此，在SFCR旁边直接并联变容二极管时，如果变容二极管接入系数过大，相位噪声会严重而化，而接入系数过低，调谐带宽又很窄，因此采用此方法来调谐频率是一件比较困难的工作。
然而，通过改变振荡器负阻电路部分的状态同样能够在较小的范围内改变频率。因此，可以在图1负阻电路部分的C4 后面串联一个变容二极管来调谐振荡器的输出频率。由于此方法没有直接在SFCR旁边直接并联电容，仅仅靠改变谐振器接入端口的阻抗特性来改变输出频率。因此，此方法对SFCR的影响相对传统的方法要小，简单实用。具体的设计可以通过CAD仿真工具完成。
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