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一种1V 2.4G CMOS高线性度混频器

消耗积分:3 | 格式:rar | 大小:224 | 2009-12-16

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本文提出了一种低电压、高线性度CMOS 射频混频器。在LC 折叠式共源共栅结构中，
通过并联一工作在弱反应区的辅助MOS 管的方法来改善线性度。在1V 的工作电压下，采用TSMC0.18μm 射频CMOS 工艺仿真表明，该方法在基本不影响混频器其它参数如增益、功耗、噪声的条件下IIP3 提高了6dB。
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