近日,纳芯微正式推出了CSP封装12V共漏极双N沟道MOSFET——NPM12023A系列产品。这款新品以其优异的短路过流能力与雪崩过压能力,以及更强的机械压力耐受能力,为便携式锂电设备的充放电提供了全面的保护。
NPM12023A系列产品采用了纳芯微自有专利的芯片结构设计,这一创新设计使得其综合性能优于业内传统的Trench VDMOS工艺。该系列产品不仅拥有超低导通阻抗,还具备高ESD(>2kV)保护功能,进一步提升了产品的可靠性和安全性。
纳芯微全新CSP封装MOSFET系列产品的推出,不仅丰富了公司的产品线,也为锂电设备制造商提供了更加优质、可靠的解决方案。这款新品将助力便携式锂电设备在性能、安全性和稳定性方面实现全面提升,满足用户对于高品质电子产品的需求。
纳芯微作为半导体行业的领军企业,一直致力于为客户提供创新、高效的产品和服务。此次NPM12023A系列产品的推出,再次彰显了其在MOSFET领域的领先地位。
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