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最大限度地提高MSP430™ FRAM的写入速度

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:103.58KB | 2024-10-18

李欢

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非易失性低功率铁电RAM (FRAM)能够进行极高速度的写访问。本应用报告讨论了如何使用简单的技术最大限度地提高MSP430FRxx系列的FRAM写入速度。本文使用了在MSP430FR5739器件上进行的基准测试示例，该测试可扩展至所有基于MSP430TM FRAM的器件。并讨论了CPU时钟频率和块大小等不利因素，以及它们如何影响FRAM写入速度。
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