IGBT 和 MOSFET 驱动器-延展型 SO-6 封装，实现紧凑设计、快速开关和高压

最新 IGBT 和 MOSFET 驱动器

器件峰值输出电流高达 4 A

工作温度高达 +125 °C，传播延迟低至 200 ns

Vishay 推出两款采用紧凑、高隔离延展型 SO-6 封装的最新 IGBT 和 MOSFET 驱动器。

VOFD341A

和 

VOFD343A

的峰值输出电流分别达 3 A 和 4 A，工作温度高达 +125 °C，传播延迟低至 200 ns。

新发布的光耦合器包含一个 AlGaAs LED（该 LED 通过光学耦合方式连接到具有功率输出级的集成电路，用于太阳能逆变器和微逆变器）、交流和无刷直流工业电机控制逆变器，以及用于 UPS 中交流/直流转换的逆变级。器件非常适合直接驱动额定值达 1200 V / 100 A 的 IGBT 。

VOFD341A 和 VOFD343A 支持的工作温度高，这为更紧凑的设计提供了更高的温度安全裕量，而器件的高峰值输出电流无需额外的驱动级即可实现更快开关。器件的传播延迟低，可将开关损耗降至最低程度，同时有助于进行更精确的 PWM 调节 。光耦合器的高隔离封装可支持高达 1140 V 的高工作电压，因此可用于高压逆变级，同时仍能保持足够的电压安全裕量。这些器件符合 RoHS 规范，可支持高达 50 kV/µs 的抗扰，从而防止在快速开关功率级中出现下降函数。

审核编辑 黄宇