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PMCPB5530XA MOSFET规格书
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2025-02-09
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互补 N/P 沟道增强模式场效应晶体管 （FET） 采用小型和 采用沟槽的无引脚 DFN2020-6 （SOT1118） 表面贴装器件 （SMD） 塑料封装 MOSFET技术。 2. 特点和优势 低阈值电压 沟槽MOSFET技术 • • 开关速度非常快 • • 小型无引脚超薄 SMD 塑料封装：2 x 2 x 0.65 mm • 外露式排水垫，具有出色的导热性能 • 符合AEC-Q101标准 3. 应用 • 直流到直流转换 • 高速线路驱动器 • 高/低侧负载开关 • 开关电路 参数 4. 快速参考数据 表 1.快速参考数据 象征 TR1（N 沟道） VDS的 VGS系列 编号 TR2（P 沟道） VDS的 VGS系列 编号 TR1（N 沟道），静态特性 RDSon 漏源电压 栅源电压 漏极电流 漏源电压 栅源电压 漏极电流 漏源导通状态 电阻 条件 Tj = 25 °摄氏度 VGS = 4.5 V;Tamb = 25 °C Tj = 25 °摄氏度 VGS = -4.5 V;Tamb = 25 °C [1] [1] VGS = 4.5 V;内径 = 4.5 A;Tj = 25 °摄氏度 最小值 典型值 麦克斯 单位 - -10 - - -10 - - - - - - - - - 20 10 4.5 -20 10 -3.6 V V 一个 V V 一个 26 34 mΩ 50 66 mΩ TR2（P 沟道），静态特性 RDSon 漏源导通状态 电阻 VGS = -4.5 V;内径 = -3.6 安;Tj = 25 °摄氏度 [1] 设备安装在 FR4 PCB 上，单面铜，镀锡，安装垫，漏极 6 cm2。
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