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PSMNR90-80ASF规格书
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2025-02-12
王平
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NextPower 80 V标准电平栅极驱动MOSFET。符合 175 °C 标准，推荐用于 高功率工业和消费类应用。 2. 特点和优势 低 Qrr 可实现更高的效率和更低的尖峰 400 安培内径（最大）连续额定电流 低QG×RDSon FOM，适用于高效开关应用 • • • • 强雪崩能量等级 （Eas） • 雪崩等级和 100% 测试 • 无 Ha 且符合 RoHS 标准的CCPAK1212封装 3. 应用 • 电池保护 • 高功率全桥和半桥配置 • BLDC电机控制 • OR-ing 4. 快速参考数据 表 1.快速参考数据 象征 VDS系列 编号 Ptot（英语：Ptot） Tj 静态特性 RDSon的 漏源开启状态 电阻 参数 漏源电压 漏极电流 总功耗 Tmb = 25 °C;图1 结温 条件 25 °C ≤ Tj ≤ 175 °C VGS = 10 V;Tmb = 25 °C VGS = 10 V;内径 = 25 A;Tj = 25 °C VGS = 10 V;内径 = 25 A;Tj = 100 °C 内径 = 25 A;VDS = 40 V;VGS = 10 V; Tj=25°C;图2 动态特性 QGD型 QG（托特） Avalanche 坚固耐用 EDS（铝）S 栅极漏极电荷 总门费 非重复性排水-
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