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IGBT驱动设计资料

消耗积分:5 | 格式:zip | 大小:7.80 MB | 2025-03-17

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IGBT驱动设计资料.IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
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