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隔离驱动IGBT等功率器件的技巧

消耗积分:2 | 格式:doc | 大小:未知 | 2023-11-14

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简介：IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等功率器件，都需要有充分的保护以避免欠压、米勒效应、缺失饱和、过载、短路造成的损害。本文讨论隔离驱动IGBT等功率器件的技巧。
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