TPS51601A 具有死区时间控制的 30V 半桥栅极驱动器数据手册

TPS51601A 是一款同步降压 MOSFET 驱动器，具有 集成升压开关。这款高性能驱动程序能够 驱动具有最高 速度和最低的开关损耗。自适应死区时间控制和 包括击穿保护。

TPS51601A 采用节省空间的 8 引脚 3 mm × 3 mm SON 封装，工作温度范围为 –40°C 至 105°C。
*附件：tps51601a 双通道高效同步 MOSFET 驱动器数据表.pdf

特性

• 高压同步降压驱动器
• 用于 Bootstrap作的集成升压开关
• 自适应死区时间控制和击穿保护
• 0.4-Ω 低侧驱动的灌电流电阻
• 用于高侧驱动的 1.0-Ω 源电阻
• 跳用于提高轻负载效率的引脚
• 自适应过零检测，实现最佳轻负载效率
• 8 引脚 3 mm × 3 mm SON （DRB） 封装

参数

方框图

1. 产品概述

• ‌名称‌：TPS51601A
• ‌类型‌：双通道高效同步MOSFET驱动器
• ‌特点‌：集成升压开关、自适应死区控制、防直通保护、自适应零交叉检测
• ‌封装‌：8引脚3mm×3mm SON（DRB）包装
• ‌操作温度‌：-40°C至105°C

2. 主要功能

• ‌高电压同步降压驱动‌：能驱动高侧和低侧N通道FET，具有高速和低开关损耗。
• ‌集成升压开关‌：用于自举操作，提高驱动效率。
• ‌自适应死区控制‌：最小化高侧和低侧驱动信号之间的非重叠时间，防止直通。
• ‌防直通保护‌：确保高侧和低侧MOSFET不会同时导通。
• ‌自适应零交叉检测‌：优化轻载效率，通过检测电感电流零交叉点来关闭低侧驱动。
• ‌SKIP引脚‌：用于改善轻载效率，通过强制连续导通模式（FCCM）或断续导通模式（DCM）来控制。

3. 电气特性

• ‌供电电压‌：VDD范围为4.5V至5.5V
• ‌输入电压范围‌：VPWM、SKIP、BST至SW、DRVH至SW、DRVL均为-0.3V至6V
• ‌输出电压范围‌：SW为-1V至32V
• ‌门极驱动输出‌：高侧源电阻为1.0Ω，低侧源电阻为0.4Ω
• ‌ 欠压锁定（UVLO） ‌：UVLO开启阈值为3.5V至3.9V，关闭阈值为3.3V至3.7V

4. 热特性

• ‌热阻‌：θJA（结到环境）为42.6°C/W，θJC（结到外壳顶部）为3.0°C/W

5. 应用领域

• ‌移动核心调节器产品‌
• ‌高频DC-DC转换器‌
• ‌高输入电压DC-DC转换器‌
• ‌多相DC-DC转换器‌

6. 封装与订购信息

• ‌封装类型‌：SON（DRB）
• ‌订购编号‌：TPS51601ADRBT（250单位绿色卷带和卷盘）、TPS51601ADRBR（3000单位绿色卷带和卷盘）

7. 布局指南

• ‌低侧门极驱动布局‌：建议长度不超过1英寸，DRVL宽度与长度比为1:10，如果可能的话为1:5。
• ‌解耦电容‌：建议在VDD和GND之间使用至少2.2μF的陶瓷电容。

8. 注意事项

• ‌静电保护‌：设备内置有限的静电保护，存储或处理时应将引脚短路或放置在导电泡沫中以防止静电损坏。