CSD18511KCS 40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET技术手册

这款 40V、2.1mΩ、TO-220 NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地减少功率转换应用中的损耗。
*附件：CSD18511KCS 40V N 沟道 NexFET 功率 MOSFET 数据表.pdf

特性

• 低 Qg 和 Qgd
• 低 RDS（ON）
• 低热阻
• 雪崩评级
• 无铅端子电镀
• 符合 RoHS 规范
• 无卤素
• TO-220 塑料封装

参数

方框图

1. 产品概述

CSD18511KCS 是一款40V、2.1mΩ的N沟道NexFET™功率MOSFET，设计用于最小化功率转换应用中的损耗。它采用TO-220塑料封装，具有低栅极电荷（Qg）和低导通电阻（RDS(ON)），适用于次级侧同步整流和电机控制等应用。

2. 主要特性

2.1 电气特性

• ‌ 漏源电压（VDS） ‌：40V
• ‌ 栅源阈值电压（VGS(th)） ‌：1.8V
• ‌ 栅极电荷（Qg） ‌：
  • 10V下：63.9nC
  • 栅极到漏极电荷（Qgd）：9.7nC
• ‌ 导通电阻（RDS(ON)） ‌：
  • VGS = 4.5V时：3.2mΩ
  • VGS = 10V时：2.1mΩ
• ‌ 反向恢复电荷（Qrr） ‌：62nC
• ‌ 反向恢复时间（trr） ‌：31ns

2.2 热特性

• ‌ 结到壳热阻（RθJC） ‌：0.8°C/W
• ‌ 结到环境热阻（RθJA） ‌：62°C/W

2.3 其他特性

• ‌无铅端子镀层‌
• ‌RoHS合规‌
• ‌无卤素‌
• ‌雪崩额定‌

3. 应用范围

• ‌次级侧同步整流器‌
• ‌电机控制‌

4. 封装与可订购信息

• ‌封装类型‌：TO-220塑料封装
• ‌可订购部件号‌：CSD18511KCS
• ‌包装‌：50个/管

5. 绝对最大额定值

• ‌ 漏源电压（VDS） ‌：40V
• ‌ 栅源电压（VGS） ‌：±20V
• ‌ 连续漏极电流（ID） ‌：
  • 封装限制：110A
  • 硅限制（TC = 25°C）：194A
  • 硅限制（TC = 100°C）：137A
• ‌ 脉冲漏极电流（IDM） ‌：400A
• ‌ 功率耗散（PD） ‌：188W
• ‌ 工作温度范围（TJ, Tstg） ‌：-55至175°C

6. 注意事项

• ‌静电放电（ESD）警告‌：处理时需采取适当的静电放电预防措施。
• ‌文档更新通知‌：用户可注册接收文档更新的通知。
• ‌支持资源‌：提供TI E2E™支持论坛链接，供工程师获取快速、经验证的设计帮助。

7. 修订历史

• 从初始发布（2017年7月）到最新修订（2024年3月），主要更新了文档中的表格、图形和交叉引用编号格式。

8. 典型MOSFET特性

文档提供了包括瞬态热阻抗、饱和特性、转移特性、栅极电荷、电容、阈值电压与温度关系、导通电阻与栅源电压关系、归一化导通电阻与温度关系、二极管正向电压、最大安全操作区域等典型MOSFET特性曲线和图表。