CSD17318Q2 30V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET技术手册

这款 30V、12.6mΩ、2mm × 2mm SON NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地减少功率转换应用中的损耗，并针对 5V 栅极驱动应用进行了优化。2mm × 2mm SON 为封装尺寸提供出色的热性能。
*附件：CSD17318Q2 30V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 数据表.pdf

特性

• 针对 5V 栅极驱动进行了优化
• 低电容和低电荷
• 低 RDS（ON）
• 低热阻
• 无铅
• 符合 RoHS 规范
• 无卤素
• SON 2mm × 2mm 塑料封装

参数

方框图

1. 产品特点

• ‌优化5V栅极驱动‌：专为5V栅极驱动应用设计。
• ‌低电容与电荷‌：具有低Ciss、Coss和Qg值，减少开关损耗。
• ‌低导通电阻‌：R DS(ON)低至12.6mΩ（V GS = 8V）。
• ‌低热阻‌：有助于散热，提高热性能。
• ‌无铅与RoHS合规‌：符合环保要求。
• ‌无卤素‌：适用于对卤素敏感的应用。
• ‌小尺寸封装‌：采用2mm × 2mm的SON塑料封装。

2. 应用领域

• ‌存储、平板和手持设备‌：适用于需要高效电源管理的便携式设备。
• ‌负载开关应用‌：优化用于负载开关场景。
• ‌DC-DC转换器‌：适用于各种DC-DC转换电路。
• ‌电池和负载管理应用‌：提供电池保护和负载管理功能。

3. 电气特性

• ‌最大漏源电压‌：V DS = 30V
• ‌最大栅源电压‌：V GS = ±10V
• ‌连续漏极电流‌：I D = 21.5A（封装限制），I D = 25A（硅限制，T C = 25°C）
• ‌脉冲漏极电流‌：I DM = 68A（T A = 25°C，脉冲持续时间≤100μs，占空比≤1%）
• ‌功率耗散‌：P D = 2.5W（T A = 25°C），P D = 16W（T C = 25°C）
• ‌阈值电压‌：V GS(th) = 0.6V至1.2V
• ‌导通电阻‌：R DS(ON) = 20mΩ（V GS = 2.5V，I D = 8A），12.6mΩ（V GS = 8V，I D = 8A）

4. 热特性

• ‌热阻‌：
  • R θJC = 7.9°C/W（安装在指定测试板上）
  • R θJA = 55°C/W（安装在1in²、2oz Cu pad的FR4 PCB上）
  • 最大R θJA可达250°C/W（取决于PCB设计）

5. 封装与尺寸

• ‌封装类型‌：SON 2mm × 2mm塑料封装
• ‌尺寸‌：详细尺寸信息请参考数据表中的封装轮廓图。

6. 栅极电荷与电容

• ‌栅极总电荷‌：Q g = 6.0nC（V GS = 4.5V，I D = 8A）
• ‌栅极到漏极电荷‌：Q gd = 1.3nC
• ‌输入电容‌：C iss = 67pF至79pF（V GS = 0V，V DS = 15V，f = 1MHz）
• ‌输出电容‌：C oss = 71pF至92pF
• ‌反向传输电容‌：C rss = 39pF至51pF

7. 开关特性

• ‌开启延迟时间‌：t d(on) = 5ns（V DS = 15V，V GS = 4.5V，I D = 8A，R G = 2Ω）
• ‌上升时间‌：t r = 16ns
• ‌关断延迟时间‌：t d(off) = 13ns
• ‌下降时间‌：t f = 4ns

8. 二极管特性

• ‌二极管正向电压‌：V SD = 0.8V至1.0V（I SD = 8A，V GS = 0V）
• ‌反向恢复电荷‌：Q rr = 2.9nC（V DD = 15V，I F = 8A，di/dt = 300A/μs）
• ‌反向恢复时间‌：t rr = 12ns

9. 安全操作区域与最大电流

• 提供了最大安全操作区域（SOA）图和单脉冲未钳位感性开关波形图，以及最大漏极电流与温度的关系图。

CSD17318Q2是一款适用于便携式设备和电源管理应用的30V N沟道功率MOSFET，具有低导通电阻、低热阻和优化的5V栅极驱动特性。