CSD18510Q5B 40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET技术手册

这款 40V、0.79mΩ、SON 5mm × 6mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗。
*附件：CSD18510Q5B N 沟道 NexFET 功率 MOSFET 数据表.pdf

特性

• 低 RDS（开启）
• Low-Thermal Resistance
• 雪崩评级
• 逻辑电平
• 无铅端子电镀
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• SON 5 mm × 6 mm 塑料封装

参数

方框图

1. 产品特性

• ‌ 低导通电阻（R_DS(on)） ‌：在V_GS = 10V时，导通电阻仅为0.79 mΩ，有助于减少功率损耗。
• ‌低热阻‌：结到壳热阻（R_θJC）仅为0.8°C/W，有助于散热。
• ‌逻辑电平兼容‌：适用于标准逻辑电平驱动。
• ‌无铅和环保‌：符合RoHS标准，且不含卤素。
• ‌小尺寸封装‌：采用5 mm × 6 mm的SON塑料封装，适合空间受限的应用。

2. 应用领域

• ‌DC-DC转换‌：适用于各种需要高效率DC-DC转换的电路。
• ‌次级侧同步整流‌：在开关电源中，作为次级侧的同步整流器，提高电源效率。
• ‌电机控制‌：适用于各种电机驱动和控制电路。

3. 产品描述

CSD18510Q5B是一款40V、0.79 mΩ的N沟道NexFET™功率MOSFET，采用5 mm × 6 mm的SON塑料封装。该器件专为最小化功率转换应用中的损耗而设计，具有低导通电阻、低热阻和逻辑电平兼容的特性。

4. 电气特性

• ‌静态特性‌：包括漏源击穿电压（BV_DSS）、漏源泄漏电流（I_DSS）、栅源泄漏电流（I_GSS）、阈值电压（V_GS(th)）等。
• ‌动态特性‌：涵盖输入电容（C_ISS）、输出电容（C_OSS）、反向传输电容（C_RSS）、栅极电荷（Q_g）等，影响开关速度和效率。
• ‌二极管特性‌：包括体二极管正向电压（V_SD）和反向恢复电荷（Q_rr），对整流和续流应用至关重要。

5. 热信息

• ‌热阻‌：提供了结到壳（R_θJC）和结到环境（R_θJA）的热阻信息，有助于设计有效的散热系统。

6. 机械、包装和订购信息

• ‌封装尺寸‌：详细列出了CSD18510Q5B的封装尺寸和引脚配置。
• ‌推荐PCB布局‌：提供了推荐的PCB布局和焊盘图案，以确保良好的电气和热性能。
• ‌订购选项‌：包括可订购的设备型号、封装类型、每卷数量等信息。

7. 文档和支持

• ‌文档更新通知‌：用户可通过TI官网注册接收产品文档的更新通知。
• ‌社区资源‌：提供了TI的E2E在线社区链接，方便用户获取技术支持和与其他工程师交流。
• ‌商标和静电放电警告‌：指出了NexFET™是TI的商标，并提醒用户注意静电放电保护。