CSD23285F5 -12V、P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、单个 LGA 0.8mm x 1.5mm、35mOhm、栅极 ESD 保护技术手册

这种 29mΩ、–12V、P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，可在许多手持式和移动应用中最大限度地减小占用空间。该技术能够取代标准小信号 MOSFET，同时显著减小基底面尺寸。
*附件：CSD23285F5 –12V、P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 数据表.pdf

特性

• 低导通电阻
• 低 Qg和 QGD
• 超小尺寸
  • 1.53 毫米 × 0.77 毫米
  • 0.50 mm 焊盘间距
• 低调
  • 0.36 mm 高
• 集成 ESD 保护二极管
  • 额定 > 4 kV HBM
  • 额定> 2 kV CDM
• 无铅和无卤素
• 符合 RoHS 规范

参数

方框图

1. 产品特性

• ‌超低导通电阻‌：在V_GS = -4.5V时，R_DS(on)仅为29 mΩ。
• ‌低栅极电荷‌：总栅极电荷Q_g为3.2 nC，栅极到漏极电荷Q_gd为0.48 nC。
• ‌超小封装‌：1.53 mm × 0.77 mm的封装尺寸，焊盘间距为0.50 mm，最大高度仅0.36 mm。
• ‌集成ESD保护二极管‌：人体模型（HBM）额定值> 4 kV，充电器件模型（CDM）额定值> 2 kV。
• ‌环保合规‌：无铅、无卤素，符合RoHS标准。

2. 应用领域

• ‌工业负载开关应用‌：适用于需要快速响应和低损耗的工业负载控制。
• ‌通用开关应用‌：广泛适用于各种电子设备中的开关电路。
• ‌手持和移动设备‌：由于其超小封装和低功耗特性，非常适合手持和移动设备。

3. 产品描述

CSD23285F5是一款29 mΩ、–12V P沟道FemtoFET™ MOSFET，专为最小化手持和移动设备中的占板面积而设计。该器件能够替换标准的小信号MOSFET，同时显著减小封装尺寸。

4. 电气特性

• ‌静态特性‌：包括漏源击穿电压BV_DSS、漏源泄漏电流I_DSS、栅源泄漏电流I_GSS、阈值电压V_GS(th)等。
• ‌动态特性‌：涵盖输入电容C_iss、输出电容C_oss、反向传输电容C_rss、栅极电阻R_G、栅极电荷Q_g等。
• ‌二极管特性‌：包括体二极管正向电压V_SD，适用于需要反向导通的应用场景。

5. 热信息

• ‌热阻‌：提供了两种条件下的结到环境热阻R_θJA，分别为90°C/W（最大铜面积）和245°C/W（最小铜面积），帮助用户设计有效的散热方案。

6. 封装和订购信息

• ‌封装类型‌：1.53 mm × 0.77 mm的SMD无引脚封装。
• ‌订购选项‌：提供不同卷带长度的订购选项，如3000个/卷带和250个/卷带。

7. 文档和支持

• ‌文档更新通知‌：用户可通过TI官网注册接收产品文档的更新通知。
• ‌商标声明‌：FemtoFET™是德州仪器（Texas Instruments）的商标。